等離子拋光技術(shù)是否能夠?qū)崿F(xiàn)樣件表面微觀整平？
等離子拋光技術(shù)是否能夠?qū)崿F(xiàn)樣件表面微觀整平，關(guān)鍵在于放電通道形成的位置是否是樣件表面微觀凸起的位置，如果能夠使放電通道更多的是在微觀凸起的位置形成，則微觀凸起位置的材料優(yōu)先去除，表面粗糙度降低。一定條件下拋光所能達(dá)到的極小粗糙度值取決于單次放電所形成的坑痕的深度，坑痕深度越小，極小粗糙度值越小。對(duì)于拋光開(kāi)始階段呈現(xiàn)出的粗糙度快速下降趨勢(shì)，是因?yàn)樵趻伖獾那?分鐘，由于樣件表面存在明顯凹凸不平的狀態(tài)，而凸起的位置電場(chǎng)強(qiáng)度大，因此放電通道更多地選擇在凸起的位置形成，粗糙度下降速度最快，隨著拋光時(shí)間的延長(zhǎng)，樣件凹凸不平的狀態(tài)得到改善，放電通道更多在微觀凸起位置形成的趨勢(shì)減弱，因此粗糙度下降的速度減小。
在不同電壓的條件下，粗糙度下降速度的不同也與不同電壓下氣層的厚度不同有關(guān)。低電壓條件下，氣層薄，微觀起伏造成的電場(chǎng)強(qiáng)度差異更明顯，而且電子經(jīng)過(guò)電場(chǎng)加速到達(dá)樣件表面時(shí)的速度更小，單次放電產(chǎn)生坑痕更淺，因此粗糙度值下降的速度快，而且所能達(dá)到的極小粗糙度值也更小。隨著電壓的升高，氣層變厚，微觀起伏造成的電場(chǎng)強(qiáng)度差異變小，電子經(jīng)過(guò)電場(chǎng)加速到達(dá)樣件表面時(shí)的速度增大，因此粗糙度值下降的速度減緩，所能達(dá)到的極小粗糙度值也增大，但是電壓過(guò)低時(shí)，也造成瞬時(shí)局部短路的幾率增大，而瞬時(shí)局部短路使樣件表面獲得的能量和所形成的坑痕深度都遠(yuǎn)大于一般的單次放電，就在一定程度上減緩的粗糙度值下降的速度，并增大了所能形成的極小粗糙度值，因此在220-250V電壓條件下粗糙度值的下降速度并不快于電壓為270-290V時(shí)，最終的極小粗糙度值也大于電壓為270-330V時(shí)。
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